美国存储芯片巨头美光科技（Micron）27日在新加坡为一座先进NAND闪存晶圆厂举行动土典礼。该项目计划未来10年累计投资240亿美元，建成后将成为新加坡首座双层晶圆厂，聚焦AI及数据导向应用催生的快闪记忆体需求，预计2028年下半年启动晶圆产出。
根据美光披露的信息，新厂将落地于新加坡兀兰工业区现有制造园区内，新增约70万平方英尺无尘室空间，专注于尖端NAND闪存芯片生产。作为非易失性存储芯片，NAND闪存广泛应用于固态硬盘、U盘及手机存储，当前受AI基础设施建设推动，市场需求激增且价格持续攀升。
美光全球营运执行副总统巴提亚（Manish Bhatia）表示，此次投资彰显美光对新加坡全球制造枢纽地位的长期承诺，将依托当地产业基础提升供应链韧性，培育创新生态系，助力美光以先进存储技术支撑AI驱动的全球经济转型。
项目将创造约1600个就业岗位，集中于制造工程、运营及自动化领域。加之美光此前布局的高带宽内存（HBM）先进封装厂，未来两年将为新加坡新增约3000个直接岗位，后者预计2027年投产并贡献HBM产能，与新厂形成NAND与DRAM生产的协同效应，美光将根据市场需求弹性调整产能爬坡速度。
新加坡副总理兼贸工部部长颜金勇出席典礼并致辞，强调在AI与自动化技术快速迭代的背景下，新加坡凭借高度开放、制度可预期的优势，成为全球企业布局高复杂度业务的“信赖之地”，将持续为顶尖企业提供发展支撑。
此次扩产是美光全球产能布局的重要一环，当前其98%的闪存芯片均在新加坡生产。